Samsung Foundry a rencontré ses clients et ses partenaires du marché européen lors de son événement annuel qui s’est tenu à Munich

MUNICH--(BUSINESS WIRE)--Samsung Electronics, leader mondial de la technologie avancée des semi-conducteurs, a organisé aujourd’hui son événement annuel, le Samsung Foundry Forum (SFF) 2023, dévoilant ses technologies pour le secteur automobile couvrant les technologies en 8 pouces jusqu’auprocédé de gravure le plus avancé en 2 nanomètres.

C’est aux côtés de ses clients et de ses partenaires de Samsung Advanced Foundry Ecosytem (SAFE) que Samsung Electronics a présenté les dernières avancées technologiques et sa stratégie pour le marché européen.

« Samsung Foundry stimule l’innovation à travers des solutions de dernière génération afin d’offrir une large gamme de solutions répondant aux besoins croissants de nos clients du secteur automobile, plus particulièrement au moment où les véhicules électriques deviennent une réalité », a déclaré le Dr Siyoung Choi, président de la division Samsung Foundry chez Samsung Electronics. « Nous renforçons notre capacité à fournir à nos clients un service sur mesure en leur proposant diverses solutions, couvrant les semi-conducteurs de puissance, des microcontrôleurs, jusqu’aux puces conçues pour l’IA dédiées pour la conduite autonome. »

Depuis sa première participation à l’IAA Mobility 2023 en septembre, Samsung Electronics renforce son engagement et son partenariat dans les procédés spécialisés pour les clients du secteur automobile sur le marché européen, consolidant ainsi sa présence de leader en tant que partenaire de fonderie.

Pionnier du marché avec la mémoire eMRAM la plus avancée de l’industrie

Afin de répondre aux besoins des dernières avancées sur le marché de l’automobile, Samsung a entrepris de développer la première eMRAM de 5 nanomètres de l’industrie pour latechnologie automobile de dernière génération. La mémoire eMRAM est un semi-conducteur de mémoire de dernière génération utilisée pour les applications automobiles permettant une vitesse de lecture et d’écriture élevée tout en offrant une remarquable résistance à la chaleur.

Depuis le développement et la production en masse de la première eMRAM en 28 nm basée sur la technologie FD-SOI¹ en 2019, Samsung Electronics a mis au point le procédé FinFET de 14 nm basé sur la norme AEC-Q100 Grade 1. La fonderie Samsung prévoit d’élargir sa gamme d’eMRAM en y ajoutant des gravures de 14 nm d’ici 2024, de 8 nm d’ici 2026, et de 5 nm d’ici 2027.

La mémoire eMRAM 8 nm de Samsung devrait augmenter de 30 % de la densité et de 33 % la vitesse par rapport à la gravure en 14 nm.

S’attaquer au marché automobile avec des procédés de gravure, des plus avancées aux plus classiques

Samsung Electronics a annoncé sa feuille de route en matière de procédés avancés, soulignant son intention de parachever sa production de masse pour son procédé de gravure en 2 nm pour les applications automobiles d’ici 2026.

L’entreprise renforce également sa capacité à répondre aux besoins de ses clients en élargissant sa gamme de procédés BCD (Bipolaire-CMOS-DMOS) de 8 pouces.

Le procédé BCD combine en une seule puce, les avantages de trois différentes technologies de procédé de gravure, à savoir Bipolaire (B), CMOS (C) et DMOS (D). Il est le plus souvent utilisé pour la production de semi-conducteurs de puissance.

Samsung Electronics prévoit d’étendre son procédé BCD automobile actuel de 130 nm à 90 nm d’ici 2025. Le procédé BCD en 90 nm doit permettre une réduction de 20 % de la surface de la puce par rapport au procédé de 130 nm.

Grâce à la technologie DTI (Deep Trench Isolation), qui réduit la distance entre chaque transistor afin de maximiser les performances des semi-conducteurs de puissance, la fonderie Samsung sera en mesure d’appliquer une tension plus élevée de 120 V au lieu de 70 V à une plus large gamme d’applications. Cela lui permettra de fournir un kit de développement de procédé (PDK) qui applique 120 V au procédé BCD de 130 nm d’ici 2025.

Une alliance pour le conditionnement avancé qui repousse les limites de la loi de Moore en matière d’innovation

Samsung a mis en place une « Multi-Die Integration (MDI) Alliance » en collaborant avec ses partenaires SAFE ainsi qu’avec les principaux acteurs du secteur des mémoires, des substrats et des essais/tests.

Dans le cadre d’un partenariat industriel à grande échelle réunissant 20 partenaires, Samsung mène le développement de solutions de conditionnement 2,5D et 3D personnalisées pour toutes les applications, de l’automobile aux calculs de haute performance (HPC).

Samsung Electronics a organisé son rendez-vous annuel, le Samsung Foundry Forum 2023, aux États-Unis les 27 et 28 juin, en Corée du Sud le 4 juillet, et au Japon le 17 octobre. Le contenu du forum sera disponible sur le site web de Samsung Semiconductor pour un accès mondial à tous les visiteurs dès le 2 novembre.

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¹ La technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) est une technologie de procédé de gravure planaire qui applique un film isolant imperméable (SiO2) sur une plaquette de silicium et construit des transistors par-dessus afin de minimiser les fuites.

Ujeong Jahnke
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